充值活动已开启,快来参与吧 关闭充值活动
当前位置:手动组卷 /高中化学 /按章节
最新上传 最多使用
  • 1. (2023高二下·吉林期中) 磷锡青铜合金广泛用于仪器仪表中的耐磨零件和抗磁元件等。其晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为a pm,下列说法不正确的是( )

    A . 磷锡青铜的化学式为 B . 该晶胞中与Cu等距离且最近的Cu有4个 C . 三种元素Cu、Sn、P在元素周期表中分别处于ds区、p区、p区 D . Sn和P原子间的最短距离为
  • 1. (2023高二下·吉林期中) 某有机一无机杂化钙钛矿光电材料的组成粒子为和有机碱离子 , 其晶胞结构如图所示,1号原子的分数坐标为 , 2号原子的分数坐标为。下列说法错误的是( )

    A . 位于构成的八面体体心 B . 3号原子的分数坐标为 C . 晶胞中的个数比为1:3:1 D . 与有机碱离子相邻距离最近的有8个
  • 1. (2023高二下·吉林期中) 一种光催化材料的晶胞如图,属于立方晶系,其晶胞参数为anm。下列说法错误的是( )

    A . 晶体的化学式为CeO2 B . 晶体中与Ce距离最近且相等的O有6个 C . 氧原子位于Ce构成的四面体空隙中 D . 晶体密度为g•cm-3
  • 1. (2023高二下·新会期中) 双奥之城北京,将2008年奥运会的“水立方”进行改造成2022年冬奥会上华的“冰立方”,实现了奥运场馆的再利用。其美丽的透光气囊材料由乙烯(CH2=CH2)与四氟乙烯(CF2=CF2)的聚合物(ETFE)制成。回答下列问题:
    1. (1) F原子价层电子轨道表示式为
    2. (2) 图a、b、c分别表示C、N、O和F的逐级电离能Ⅰ变化趋势(纵坐标的标度不同)。第一电离能的变化图是(填标号),判断的根据是

    3. (3) CF2=CF2和ETFE分子中C的杂化轨道类型分别为;聚四氟乙烯的化学稳定性高于聚乙烯,从化学键的角度解释原因
    4. (4) 萤石(CaF2)是自然界中常见的含氟矿物,其晶胞结构如图所示,Y代表的离子是;若该立方晶胞棱长为a pm,该晶体的密度为g/cm3 (列出算式即可,阿伏加德罗常数用NA表示)

  • 1. (2023高二下·新会期中) 下表是常见晶胞结构。下列说法不正确的是  (  )                                                                                              

    金刚石

    ZnS

    Cu

    干冰

    A . 金刚石是共价晶体,熔点关系为:金刚石>碳化硅>晶体硅 B . ZnS晶胞中含有4个Zn2+ C . Cu是金属晶体,配位数为6 D . 干冰是分子晶体,由于分子间作用力弱,所以干冰熔点低
  • 1. (2023高二下·广州期中) 铝和氟的化合物在制造、化工等领域都有广泛应用。回答下列问题:
    1. (1) 基态铝原子的核外电子排布式为,占据最高能级的电子云轮廓图形状为,基态铝原子比基态镁原子的第一电离能小,其原因是
    2. (2) 通常情况下,可由六氟铝酸铵[]受热分解制得,请写出该反应的化学方程式:
    3. (3) 具有较高的熔点(1040℃),属于(填晶体类型)晶体;在178℃时升华,写出晶体类型不同的原因(从原子结构与元素性质的角度作答)。
    4. (4) 在水溶液中实际上是以的形式存在。其中为配离子,配体为,Al原子的杂化方式为,该阴离子中存在的化学键有(填字母)。

      A.离子键    B.极性键    C.非极性键    D.金属键    E.配位键    F.氧键

    5. (5) 铁的氧化物有多种,科研工作者常使用来表示各种铁氧化物。图为某种铁的氧化物样品的晶胞结构,其化学式为;若该晶胞的晶胞参数为a pm,a pm,2a pm,则该晶胞的密度为(列出计算式)

  • 1. (2023高二下·广州期中) La和Ni的合金是目前使用最广泛的储氢材料。某La-Ni合金(晶胞为平行六面体)由图甲、图乙两个原子层交替紧密堆积而成,图丙是该合金的晶胞结构:

    下列说法错误的是(   )

    A . 该晶体可表示为 B . 该晶体中1个La原子与18个Ni原子配位 C . 该晶体的一个晶胞中Ni原子数为12 D . 通过晶体X射线衍射实验可确定该晶组成的结构
  • 1. (2023高二下·深圳期中) 美国加州 Livermore国家实验室物理学家Choong—Shik和他的同事们,在40 Gpa的高压容器中,用Nd:YbLiF4激光器将液态二氧化碳加热到1800 K,二氧化碳转化为与石英具有相似结构的晶体。估计该晶体不具有的结构或性质是(   ) 
    A . 具有规则的几何外形 B . 硬度与金刚石相近 C . 熔化时破坏共价键 D . 易升华,可用作制冷剂
  • 1. (2023高二下·深圳期中) 理论计算预测,由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成,图b为X的晶胞,下列说法错误的是(   ) 

    A . 晶体的化学式为HgGeSb2 B . 每个Ge原子与4个Sb原子相连 C . X的晶体中,与Ge距离最近的Ge原子数目为4 D . 设X的最简式的式量为Mr , 则晶体密度为g·cm-3
  • 1. (2023·云南模拟) GaAs是一种重要的半导体材料。一种以粉煤灰(主要成分为SiO2 , 含少量Fe2O3、Al2O3、Ga2O3等)为原料制备GaAs的工艺流程如下:

    已知: Ksp[Ga(OH)3] ≈1.0×10-35 ,  Ksp [Al(OH)3] ≈1.0×10-33 ,  Ksp [Fe(OH)3] ≈2.8× 10-39

    回答下列问题:

    1. (1) 基态Ga原子的价层电子排布式为
    2. (2) 焙烧工序中Ga2O3与(NH4)2SO4反应的化学方程式为 。
    3. (3) 母液中主要成分经分离、提纯后,可返回 工序循环利用。
    4. (4) 若浸取液中金属阳离子的浓度几乎相同,则分步沉淀中最先沉淀的离子为
    5. (5) 碱浸时发生反应Ga(OH)3+ OH- [Ga(OH)4]-  K=0.1, 已知Kb(NH3·H2O)=1.75×10-5 , 计算说明分步沉淀时Ga(OH)3难溶于氨水的原因
    6. (6) 电解生成Ga的电极反应式为
    7. (7) GaAs的晶胞结构如图,晶体中每个As原子周围等距且最近的Ga原子数目为,已知: GaAs的摩尔质量为Mg·mol-1 ,  密度为ρg·cm-3 , 阿伏加德罗常数值为NA , 则GaAs晶胞的边长为pm。

上一页 1 2 3 4 5 下一页 共41页