理论计算预测，由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成，图b为X的晶胞，下列说法错误的是（）&nb

充值活动已开启，快来参与吧

当前位置：高中化学 /

1. 理论计算预测，由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成，图b为X的晶胞，下列说法错误的是（）

A . 晶体的化学式为HgGeSb₂ B . 每个Ge原子与4个Sb原子相连 C . X的晶体中，与Ge距离最近的Ge原子数目为4 D . 设X的最简式的式量为M_r ，则晶体密度为 $\text{[math]}$ g·cm^-3

基础巩固换一批

1. 中学常见的几种晶体结构模型如图，其中为二氧化碳晶体结构模型的是（）

A . B . C . D .

答案解析收藏纠错 + 选题
2. 一种储氢合金的晶胞结构如图所示。在晶胞中Cu原子处于面心，Au原子处于顶点位置。实现储氢功能时，氢原子可进入由Cu原子与Au原子构成的四面体空隙中心，若所有四面体空隙都填满，该晶体储氢后的化学式为（）

A . $A u C u H_{8}$ B . $A u C u_{3} H_{4}$ C . $A u C u_{3} H_{8}$ D . $A u_{3} C u H_{8}$

答案解析收藏纠错 + 选题
3. 一种立方体晶胞，晶胞中K、O、I分别处于顶点、面心、体心位置，如图所示。下列说法错误的是（）

A . 该物质的化学式为 $K I O_{3}$ B . 与K紧邻O的个数为12 C . I处于O围成的八面体空隙中 D . 若该晶胞中I处于各顶点位置，则O处于体心位置

答案解析收藏纠错 + 选题