1. GaAs是一种重要的半导体材料。一种以粉煤灰(主要成分为SiO₂ ， 含少量Fe₂O₃、Al₂O₃、Ga₂O₃等)为原料制备GaAs的工艺流程如下：

已知： K_sp[Ga(OH)₃] ≈1.0×10^-35 ，  K_sp [Al(OH)₃] ≈1.0×10^-33 ，  K_sp [Fe(OH)₃] ≈2.8× 10^-39

回答下列问题：

1. （1） 基态Ga原子的价层电子排布式为。
3. （2） 焙烧工序中Ga₂O₃与(NH₄)₂SO₄反应的化学方程式为 。
5. （3） 母液中主要成分经分离、提纯后，可返回 工序循环利用。
7. （4） 若浸取液中金属阳离子的浓度几乎相同，则分步沉淀中最先沉淀的离子为。
9. （5） 碱浸时发生反应Ga(OH)₃+ OH^- [Ga(OH)₄]^-  K=0.1， 已知K_b(NH₃·H₂O)=1.75×10^-5 ， 计算说明分步沉淀时Ga(OH)₃难溶于氨水的原因。
11. （6） 电解生成Ga的电极反应式为。
13. （7） GaAs的晶胞结构如图，晶体中每个As原子周围等距且最近的Ga原子数目为，已知： GaAs的摩尔质量为Mg·mol^-1 ，  密度为ρg·cm^-3 ， 阿伏加德罗常数值为N_A ， 则GaAs晶胞的边长为pm。