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  • 1. (2023高二下·顺义期末) 将平行板电容器、滑动变阻器、电源按如图所示连接。若平行板电容器内存在垂直纸面向里的匀强磁场,一电子束沿垂直于电场线与磁感线方向,从左侧入射后偏向A极板,为了使电子束沿入射方向做直线运动,可采取的方法是( )

    A . 只将两极板间距离适当减小 B . 只将电子的入射速度适当增大 C . 只将变阻器滑片P向b端滑动 D . 只将磁场的磁感应强度适当减小
  • 1. (2023高二下·民勤月考) 如图所示,有四个离子,它们带等量同种电荷,质量不等,有以不等的速率进入速度选择器后,有两种离子从速度选择器中射出进入磁场,由此可以判定(    )

    A . 射向的是离子 B . 射向的是离子 C . 射向的是离子 D . 射向的是离子
  • 1. (2023高二下·锦州月考) 关于磁场的应用,下列说法正确的是(    )

    A . 图甲是用来加速带电粒子的回旋加速器示意图,要使粒子获得的最大动能增大,可增大D型盒半径 B . 图乙是质谱仪结构示意图,粒子打在底片上的位置离狭缝越远,说明粒子的比荷越大 C . 图丙是速度选择器示意图,不考虑重力的带电粒子只要 , 无论粒子的电性正负、电量大小、也无论从P点还是Q点水平进入,都可以匀速直线通过速度选择器 D . 图丁是电磁流量计示意图,当ab间电压增大时(其它条件都不变),说明流量增大了
  • 1. (2023高二下·潍坊期中) 如图甲所示,粒子加速器与速度选择器并排放置,已知速度选择器内匀强磁场磁感应强度大小为、电场强度大小为。在速度选择器右侧建立xOy坐标系,的区域里有磁场,规定磁场方向垂直纸面向里为正,磁感应强度B随时间t变化的规律如图乙所示,其中。质量为、电荷量为的粒子从加速器M极板由静止释放,通过N极板中间的小孔后进入速度选择器,沿直线穿过速度选择器后从O点沿x轴射入磁场。

    1. (1) 求粒子到达O点的速度和M、N两板间的电压
    2. (2) 若粒子在时从O点射入磁场,且在的某时刻从点P()离开磁场,求的大小;
    3. (3) 若 , 粒子在时刻从O点射入磁场,求粒子离开磁场时的位置坐标;
    4. (4) 若 , 调整磁场变化周期 , 使在的任一时刻从O点入射的粒子均不从y轴离开磁场,求的取值范围。
  • 1. (2023高二下·陆良期中) 如图所示的平行板之间,电场强度E和磁感应强度B相互垂直,具有不同水平速度的带电粒子(不计重力)射入后发生偏转的情况不同。这种器件能把具有特定速度的粒子选择出来,所以叫速度选择器。下列关于速度选择器的说法正确的是(  )

    A . 这个特定速度与粒子的比荷有关 B . 从左向右以特定速度射入的粒子有可能沿直线穿出速度选择器 C . 从右向左以特定速度射入的粒子才能沿直线穿出速度选择器 D . 只有带正电的粒子才有可能沿直线穿出速度选择器
  • 1. (2023高二下·贵池期中) 如图所示,甲是回旋加速器,乙是磁流体发电机,丙是速度选择器,丁是霍尔元件,下列说法正确的是(  )

    A . 甲图要增大粒子的最大动能,可增加电压U B . 乙图可判断出A极板是发电机的负极 C . 丙图可以判断出带电粒子的电性,粒子能够沿直线匀速通过速度选择器的条件是 D . 丁图中若载流子带负电,稳定时C端电势高
  • 1. (2023高二下·齐齐哈尔月考) 如图,图中的粒子不计重力,下列说法不正确的是(    )

    A . 甲图要增大粒子的最大动能,可增大磁感应强度B B . 乙图是磁流体发电机,可判断出A极板是发电机的负极 C . 丙图中若载流子带负电,稳定时C板电势高 D . 丁图可以判断基本粒子的电性,粒子能够沿直线匀速通过的条件是
  • 1. (2023高二下·昆明月考) 关于洛伦兹力的应用,下列说法正确的是(    )

    A . 图甲是用来加速带电粒子的回旋加速器,要想粒子获得的最大动能增大,可增加电压U B . 图乙是磁流体发电机的结构示,可以判断出A极板是发电机的负极,B极板是发电机的正极 C . 图丙是速度选择器,带电粒子能够沿直线匀速通过速度选择器的条件是 D . 图丁是质谱仪的主要原理图,其中在磁场中偏转半径最小的是
  • 1. (2023高二下·北京月考) 如图,速度选择器两极板间有互相垂直的匀强电场和匀强磁场,一电荷量为的粒子以水平速度从左侧射入,恰能沿直线飞出速度选择器,不计粒子重力和空气阻力。下列说法正确的是(    )

    A . 若仅将粒子改为从右侧射入,粒子仍将沿直线飞出 B . 若仅将粒子改为从右侧射入,粒子不能沿直线飞出 C . 若仅将电荷量改为 , 粒子不能沿直线飞出 D . 若仅将电荷量改为 , 粒子不能沿直线飞出
  • 1. (2023高二下·富阳月考) 离子注入是芯片技术中的一道重要工序。如图所示是离子注入工作原理示意图,离子经电场加速后沿水平方向进入速度选择器,然后通过磁分析器,选择出特定比荷的离子,经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆片。速度选择器和磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为 , 方向均垂直纸面向外;速度选择器和偏转系统中的匀强电场场强大小均为 , 方向分别为竖直向上和垂直纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为的四分之一圆环,其两端中心位置处各有一个小孔;偏转系统中电场的分布区域是一边长为的正方体,其底面与晶圆片所在水平面平行。当偏转系统不加电场时,离子恰好竖直注入到晶圆片上的点。整个系统置于真空中,不计离子重力。求:

    1. (1) 判断离子的电性和离子通过速度选择器的速度大小
    2. (2) 磁分析器选择出来离子的比荷
    3. (3) 偏转系统加电场时,要求离子从偏转系统底面飞出,若晶圆片所在的水平面是半径为的圆面,为了使偏转粒子能打到晶圆片的水平面上,晶圆片平面到偏转系统底面的距离应满足什么条件?
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