巨磁电阻效应

1988年阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔发现，在铁、铬相间的三层复合膜电阻中，微弱的磁场可以导致电阻大小的急剧变化，这种现象被命名为“巨磁电阻效应”。

格林贝格尔发现，并非任意两种不同种金属的三层复合膜都具有“巨磁电阻效应”。三层膜中，只有两侧是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种，中间一层是不易被磁化的其他金属，才可能产生“巨磁电阻效应”。用R₀表示未加磁场时复合膜的电阻，R表示加入磁场后复合膜的电阻。实验测得，铁、铬组成复合膜的R₀与磁场强度的关系如图乙所示。三条图线中铁膜层的厚度均是 3nm，图线1、图线2和图线3 中铬膜层的厚度分别是1.8nm、1.2mm和0.9nm。

1994年IBM公司利用“巨磁电阻效应”，研制出“新型读出磁头”，用于家用计算机的硬盘中。这种磁头将磁场对复合膜阻值的影响转换成电压的变化来读取信息。

（1）以下三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是；

A．铁、钴、铁            B.钴、铜、钴          C.金、铝、金        D.铜、铁、铜

（2）图乙中所加磁场强度逐渐增强时，图线3 对应复合膜的阻值的变化情况是；

（3）“新型读出磁头”可将微弱的磁信息转化为信息。该转化过程（“是”或“不是”）利用电磁感应原理；

（4）图乙中当磁场强度是20单位时，下列分析正确的是；

A．图线1的阻值最大                                B.图线3的阻值最大

C.图线1的阻值变化最显著                 D.图线3的阻值变化最显著

（5）图丙中“A……E”是家用计算机硬盘某磁道。铁、铬复合膜的“新型读出磁头”中电流I保持恒定。磁头从左向右匀速经过该磁道的过程中，磁头两端电压 U变化情况如图丁所示。如果用1表示有磁区域，0 表示无磁区域，则用1和0表示图丙中ABCDE是。