关于下列四幅图的说法正确的是（　　）

1. 关于下列四幅图的说法正确的是（　　）

A . 图甲是 $\text{[math]}$ 粒子散射实验，汤姆孙据此提出了原子的核式结构模型 B . 图乙是光电效应实验，张开的验电器指针和锌板都带负电 C . 图丙是放射源放出三种射线在磁场中的运动轨迹，1为 $\text{[math]}$ 射线 D . 图丁是核反应堆示意图，它是利用铀核裂变反应释放能量

基础巩固换一批

1. 生产芯片的工具是紫外光刻机，目前有DUV和EUV两种。DUV光刻机使用的是深紫外线，其波长为193nm。EUV光刻机使用的是极紫外线，其波长是13.5nm。现用两种紫外线分别照射同一块锌板，下列说法正确的是（　　）

A . 深紫外线光子的能量小于极紫外线光子的能量 B . 用紫外线照射锌板，紫外线辐射强度必须足够大才能发生光电效应 C . 发生光电效应时，验电器和锌板总是带等量异种电荷 D . 发生光电效应时，深紫外线照射锌板产生的光电子动能，一定小于极紫外线照射锌板产生的光电子动能

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2. 硅光电池是利用光电效应原理制成的器件，下列表述正确的是（　　）

A . 硅光电池是把电能转化为光能的一种装置 B . 硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出 C . 逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率有关 D . 光电效应现象说明光具有波动性

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3. 用图甲所示实验装置探究光电效应规律，得到a、b两种金属材料遏止电压 $U_{c}$ 随入射光频率v变化的图线如图乙所示，已知电子电量为e，则（　　）

A . 材料a比b的的截止频率大 B . 材料a比b的逸出功大 C . 根据图乙图线斜率可以计算普朗克常量 D . 图甲中滑片P从最右端往左滑动时，电流表示数一直增大

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1. 关于下列四幅图的说法正确的是（ ）